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アンマウントバー半導体レーザー

Coherent社のアンマウントバー半導体レーザーは、信頼性が高く高効率なアンマウントタイプのLDバーです。780~830nm, 880nm, 915~980nm, 1060nm, 1400~1500nmの各波長の製品を提供しており、お客様の要求仕様に沿ったカスタマイズオプションの開発も可能です。

アプリケーション

  • レーザー励起工
  • 医療応用
  • 材料加工
  • イルミネーション

標準モデルの仕様

Unmouted Diode Laser Chips (UMCs) 780-830nm

仕様3Wモデル3.5Wモデル
中心波長780-830nm
スペクトル幅<3nm
出力3W3.5W
エミッタ幅100μm
エミッタ間隔500μm
エミッタ数21
キャビティ長2mm
偏光方向TE
Fast軸発散角31°29°
Slow軸発散角<10°<10°
電流閾値0.5A Typ.
動作電流<3A (2.7A Typ.)<3.5A (3.0A Typ.)
動作電圧<2.0V

Unmouted Diode Laser Bars (UMBs) 780-830nm

仕様40Wモデル60Wモデル
標準中心波長808±3nm
可変中心波長範囲780-830nm
スペクトル幅<3nm
出力40W60W
フィルファクタ18%
エミッタ幅90μm
エミッタ間隔500μm
エミッタ数19
キャビティ長2mm
偏光方向TE
Fast軸発散角31°29°
Slow軸発散角<10°<10°
電流閾値8A Typ.
動作電流<46A (42A Typ.)<62A (58A Typ.)
動作電圧<2.0V

UMBs 965-985nm

仕様60Wモデル100Wモデル150Wモデル
標準中心波長975±10nm
可変中心波長範囲965-985nm
スペクトル幅<10nm
出力60W100W150W
フィルファクタ10%18%30%
エミッタ幅100μm90μm150μm
エミッタ間隔1000μm500μm
エミッタ数1019
キャビティ長4mm
偏光方向TE
Fast軸発散角31°
Slow軸発散角<10°<10°<10°
電流閾値5A Typ.8A Typ.14A Typ.
動作電流<70A (62A Typ.)<120A (110A Typ.)<175A (165A Typ.)
動作電圧<1.7V (1.5V Typ.)

UMBs 1060nm

仕様40Wモデル100Wモデル
中心波長1060±20nm
スペクトル幅<10nm
出力40W100W
フィルファクタ20%50%
エミッタ幅100μm
エミッタ間隔500μm200μm
エミッタ数1949
キャビティ長1mm1.5mm
偏光方向TE
Fast軸発散角<35° (30° Typ.)
Slow軸発散角<7°
電流閾値<4A (2A Typ.)<13A (10A Typ.)
動作電流<49A <135A
動作電圧<1.7V

UMBs 1430-1570nm

仕様35Wモデル
標準中心波長1430±20nmまたは1470±20nm
可変中心波長範囲1430-1470nm
スペクトル幅<20nm
出力35W
フィルファクタ20%
エミッタ幅100μm
エミッタ間隔500μm
エミッタ数19
キャビティ長2mm
偏光方向TE
Fast軸発散角<40°
Slow軸発散角<10°
動作電流<90A
動作電圧<1.2V

取扱製品

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